NTR4502PT1G ON Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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NTR4502PT1G Canal P Montaje en superficie 30V 1.13 A (Ta) 400 mW (Tj) SOT-23-3 (TO-236)

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	NTR4502PT1GOSCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	25,838 Disponible para envío inmediato
Fabricante	ON Semiconductor	Copiar
Número de pieza del fabricante	NTR4502PT1G	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23	Copiar
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30V 1.13 A (Ta) 400 mW (Tj) SOT-23-3 (TO-236)	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	N(V)TR4502P
Diseño/especificación de PCN	Copper Wire 26/May/2009 SOT23 16/Sep/2016

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	ON Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	1.13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	200 mOhm a 1.95 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	3 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	200pF @ 15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	400 mW (Tj)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3