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NTR4171PT1G Canal P Montaje en superficie 30V 2.2 A (Ta) 480 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR4171PT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR4171PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 49 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 2.2 A (Ta) 480 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTR4171P
Diseño/especificación de PCN SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75 mOhm a 2.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 720pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 480 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR4171PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTR4171PT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.10944
  • Digi-Reel® ? : NTR4171PT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:46:39 11/17/2018