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NTR4101PT1G Canal P Montaje en superficie 20V 1.8 A (Ta) 420 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.42800 $4.28
100 0.25220 $25.22
500 0.14276 $71.38
1,000 0.10945 $109.45
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR4101PT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 141,219
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR4101PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.8 A (Ta) 420 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 20V 1.8 A (Ta) 420 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Documentos y medios
Hojas de datos NTR(V)4101P
Diseño/especificación de PCN Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 1.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 675pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 420 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR4101PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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