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NTR2101PT1G Canal P Montaje en superficie 8V 960mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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1 0.53000 $0.53
10 0.38200 $3.82
100 0.25190 $25.19
500 0.15072 $75.36
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR2101PT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 103,323
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR2101PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 960mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTR2101P
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52mOhm a 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1173pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR2101PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTR2101PT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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09:39:49 4/18/2019