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NTR1P02T1G Canal P Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.34800 $3.48
100 0.23020 $23.02
500 0.13732 $68.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR1P02T1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 48,797
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR1P02T1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos N(T,V)R1P02
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 165pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTR1P02T1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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04:39:24 2/18/2019