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NTR1P02T1G Canal P Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR1P02T1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 40,247
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR1P02T1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos N(T,V)R1P02
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 165pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.51000 $0.51
10 0.36100 $3.61
100 0.23720 $23.72
500 0.14014 $70.07
1,000 0.10780 $107.80
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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17:12:39 9/21/2018