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NTR1P02LT1G Canal P Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 400mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.33500 $3.35
100 0.18940 $18.94
500 0.12546 $62.73
1,000 0.09619 $96.19
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  • Cinta y rollo (TR)  : NTR1P02LT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 75,000 - Inmediata
    987,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $0.08120
  • Digi-Reel®  : NTR1P02LT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 77,799 - Inmediata
    989,276 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : NTR1P02LT3GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 10,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.07104
  • Cinta cortada (CT)  : NTR1P02LT3GOSCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,941 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.37000
  • Digi-Reel®  : NTR1P02LT3GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,941 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTR1P02LT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTR1P02LT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTR1P02LT1G
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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 400mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTR1P02L, NVTR01P02L
Información de RoHS Material Declaration NTR1P02LT1G
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Mold Compound 07/Sep/2019
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 220mOhm a 750mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.25V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC @ 4V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTR1P02LT1GOS
NTR1P02LT1GOS-ND
NTR1P02LT1GOSCT