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NTR1P02LT1G Canal P Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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100 0.22040 $22.04
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR1P02LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 47,744
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR1P02LT1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 50 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 400 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Documentos y medios
Hojas de datos NTR1P02L, NVTR01P02L
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 220 mOhm a 750 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.25 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC @ 4V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR1P02LT1GOS
NTR1P02LT1GOS-ND
NTR1P02LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 47,744 - Inmediata
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