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NTNS3164NZT5G Canal N Montaje en superficie 20V 361 mA (Ta) 155 mW (Ta) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
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Cantidad
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100 0.23790 $23.79
500 0.16316 $81.58
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTNS3164NZT5GOSCT-ND
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Cantidad disponible 16,959
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTNS3164NZT5G

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Descripción MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 361 mA (Ta) 155 mW (Ta) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTNS3164NZ
Ensamble/origen de PCN XDFN Pkg Devices Assembly Site 28/Oct/2015
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 361 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 700 mOhm a 200 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 24pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 155 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTNS3164NZT5GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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04:50:39 2/19/2019