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NTMFS6B03NT1G Canal N Montaje en superficie 100V 19 A (Ta), 132 A (Tc) 3.4 W (Ta), 165 W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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100 5.23170 $523.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTMFS6B03NT1G

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Descripción MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 19 A (Ta), 132 A (Tc) 3.4 W (Ta), 165 W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTMFS6B03N
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Ta), 132 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4200pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.4 W (Ta), 165 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTMFS6B03NT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTMFS6B03NT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.84384
  • Digi-Reel® ? : NTMFS6B03NT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,034 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 5,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.51437

14:15:55 11/21/2018