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NTMFS5C604NLT1G Canal N Montaje en superficie 60V 38 A (Ta) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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10 3.42000 $34.20
25 3.23320 $80.83
100 2.58660 $258.66
250 2.44292 $610.73
500 2.29920 $1,149.60

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  • Cinta y rollo (TR)  : NTMFS5C604NLT3G-ND
  • Cantidad mínima: 5,000  Agotado 
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NTMFS5C604NLT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTMFS5C604NLT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTMFS5C604NLT1G
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Descripción MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 38 A (Ta) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTMFS5C604NL
Información de RoHS Material Declaration NTMFS5C604NLT1G
Producto destacado High Efficiency, 60 V, Single N-Channel MOSFETs
Diseño/especificación de PCN T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Change 22/Dec/2016
Modelos EDA/CAD NTMFS5C604NLT1G by SnapEDA
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conectores
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTMFS5C604NLT1GOSCT