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NTMFS4841NHT1G Canal N Montaje en superficie 30V 8.6 A (Ta), 59 A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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10 0.67300 $6.73
25 0.63240 $15.81
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  • Cinta y rollo (TR)  : NTMFS4841NHT1GOSTR-ND
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  • Digi-Reel®  : NTMFS4841NHT1GOSDKR-ND
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  • Cantidad disponible: 10,454 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTMFS4841NHT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTMFS4841NHT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTMFS4841NHT1G
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Descripción MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 8.6 A (Ta), 59 A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTMFS4841NH
Información de RoHS Material Declaration NTMFS4841NHT1G
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.6 A (Ta), 59 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 11.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2113pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conectores
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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