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NTMD4N03R2G Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4 A 2 W Montaje en superficie 8-SOIC
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10 0.62600 $6.26
100 0.46980 $46.98
500 0.34448 $172.24
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTMD4N03R2GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTMD4N03R2G

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4 A 2 W Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos NTMD4N03R2
Diseño/especificación de PCN Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400 pF a 20 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de pieza base NTMD4N03
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTMD4N03R2GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTMD4N03R2GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
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08:42:35 11/18/2018