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NTMD4820NR2G Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4.9 A 750 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 0.88000 $0.88
10 0.77300 $7.73
100 0.59650 $59.65
500 0.44188 $220.94
1,000 0.35350 $353.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTMD4820NR2GOSCT-ND
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Stock en fábrica ?: 7,500
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTMD4820NR2G

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4.9 A 750 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos NTMD4820N
Diseño/especificación de PCN NTMS48xxNR2G Copper Wire 29/Aug/2008
Embalaje de PCN Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.9 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 7.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.7 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 940 pF a 15 V
Potencia máxima 750 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de pieza base NTMD4820N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTMD4820NR2GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:39:26 1/22/2019