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NTJS4151PT1G Canal P Montaje en superficie 20V 3.3 A (Ta) 1 W (Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTJS4151PT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTJS4151PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.3 A (Ta) 1 W (Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos NTJS4151P
Modelos EDA/CAD NTJS4151PT1G by SnapEDA
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 3.3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 850pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTJS4151PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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07:46:21 2/17/2019