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NTJD4152PT1G Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 880 mA 272 mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTJD4152PT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 27,861
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTJD4152PT1G

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Descripción MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 880 mA 272 mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos NTJD4152P
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 880 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 260 mOhm a 880 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.2 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 155pF a 20 V
Potencia máxima 272 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Número de pieza base NTJD4152P
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTJD4152PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTJD4152PT1GOSTR-ND
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19:38:34 2/16/2019