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NTHD3102CT1G Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 4 A, 3.1 A 1.1 W Montaje en superficie ChipFET™
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10 0.65400 $6.54
100 0.50480 $50.48
500 0.37390 $186.95
1,000 0.29911 $299.11

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTHD3102CT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTHD3102CT1G

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 4 A, 3.1 A 1.1 W Montaje en superficie ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos NTHD3102C
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A, 3.1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 4.4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.9 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510 pF a 10 V
Potencia máxima 1.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Número de pieza base NTHD3102C
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $0.10000
  • 490-1005-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTHD3102CT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTHD3102CT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.26318
  • Digi-Reel® ? : NTHD3102CT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,194 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

04:28:14 10/19/2018