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NTHC5513T1G Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 2.9 A, 2.2 A 1.1 W Montaje en superficie ChipFET™
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTHC5513T1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 5,843
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Stock en fábrica ?: 57,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTHC5513T1G

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 1206A
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 2.9 A, 2.2 A 1.1 W Montaje en superficie ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos NTHC5513
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.9 A, 2.2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 mOhm a 2.9 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF a 10 V
Potencia máxima 1.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Número de pieza base NTHC5513
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTHC5513T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTHC5513T1GOSTR-ND
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    57,000 - Stock en fábrica ?
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22:04:40 11/17/2018