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NTGS5120PT1G Canal P Montaje en superficie 60V 1.8 A (Ta) 600 mW (Ta) 6-TSOP
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10 0.52100 $5.21
100 0.39090 $39.09
500 0.28664 $143.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTGS5120PT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTGS5120PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 1.8 A (Ta) 600 mW (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos NTGS5120P, NVGS5120P
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 111 mOhm a 2.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 942pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTGS5120PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTGS5120PT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.19608
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
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08:25:45 10/16/2018