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NTGS4111PT1G Canal P Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 630 mW (Ta) 6-TSOP
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1 0.58000 $0.58
10 0.45400 $4.54
100 0.31130 $31.13
500 0.21348 $106.74
1,000 0.16010 $160.10

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTGS4111PT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTGS4111PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 630 mW (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos NTGS4111P, NVGS4111P
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 3.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 750pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 630 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTGS4111PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTGS4111PT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad disponible: 0
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17:28:43 12/12/2018