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NTGS3446T1G Canal N Montaje en superficie 20V 2.5 A (Ta) 500 mW (Ta) 6-TSOP
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1 0.57000 $0.57
10 0.47700 $4.77
100 0.35760 $35.76
500 0.26224 $131.12
1,000 0.20263 $202.63

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTGS3446T1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTGS3446T1G

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Descripción MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.5 A (Ta) 500 mW (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos NTGS3446
Diseño/especificación de PCN NTGS34xx Copper Wire 08/Oct/2008
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 5.1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 750pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTGS3446T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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05:00:46 10/16/2018