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NTGD4167CT1G Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 2.6 A, 1.9 A 900mW Montaje en superficie 6-TSOP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTGD4167CT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 122,592
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTGD4167CT1G

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 2.6 A, 1.9 A 900mW Montaje en superficie 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos NTGD4167C
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A, 1.9 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 295pF a 15V
Potencia máxima 900mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Número de pieza base NTGD4167C
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTGD4167CT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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