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NTF2955T1G Canal P Montaje en superficie 60V 1.7 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-223
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1 1.02000 $1.02
10 0.89600 $8.96
100 0.69140 $69.14
500 0.51212 $256.06

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTF2955T1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTF2955T1G

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Descripción MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 1.7 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos NTF2955,NVF2955
Diseño/especificación de PCN Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Ensamble/origen de PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 185 mOhm a 2.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 492pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTF2955T1G-ND
NTF2955T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:56:24 11/15/2018