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NTE4153NT1G Canal N Montaje en superficie 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) SC-89-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.33700 $3.37
25 0.29480 $7.37
100 0.16000 $16.00
500 0.13052 $65.26
1,000 0.09683 $96.83
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTE4153NT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 42,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.08504
  • Digi-Reel®  : NTE4153NT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 44,613 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTE4153NT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTE4153NT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTE4153NT1G
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Descripción MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) SC-89-3

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Documentos y medios
Hojas de datos Nxx4153N
Hoja de datos de HTML Nxx4153N
Información de RoHS Material Declaration NTE4153NT1G
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 915mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 230mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.82nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 110pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 300mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
Número de pieza base NTE415
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTE4153NT1GOSCT