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NTD6414ANT4G Canal N Montaje en superficie 100V 32 A (Tc) 100 W (Tc) DPAK
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.58000 $1.58
10 1.39600 $13.96
100 1.10370 $110.37
500 0.85592 $427.96
1,000 0.67572 $675.72

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD6414ANT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD6414ANT4G

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Descripción MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 32 A (Tc) 100 W (Tc) DPAK

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 37 mOhm a 32 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1450pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTD6414ANT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTD6414ANT4GOSTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,025 - Inmediata
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02:28:12 11/18/2018