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NTD5867NLT4G Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 36W (Tc) DPAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.51100 $5.11
25 0.47680 $11.92
100 0.35430 $35.43
250 0.33660 $84.15
500 0.27662 $138.31
1,000 0.22485 $224.85

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTD5867NLT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.20506
  • Digi-Reel®  : NTD5867NLT4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,937 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTD5867NLT4G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTD5867NLT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTD5867NLT4G
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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 36W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD5867NL
Información de RoHS Material Declaration NTD5867NLT4G
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 675pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 36W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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