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NTD5865NLT4G Canal N Montaje en superficie 60V 46 A (Tc) 71W (Tc) DPAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.67000 $0.67
10 0.58800 $5.88
25 0.55280 $13.82
100 0.40120 $40.12
250 0.38692 $96.73
500 0.33520 $167.60
1,000 0.28528 $285.28

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTD5865NLT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.26745
  • Digi-Reel®  : NTD5865NLT4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,335 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTD5865NLT4G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTD5865NLT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTD5865NLT4G
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Descripción MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 46 A (Tc) 71W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD5865NL
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 29/Aug/2017
Información de RoHS Material Declaration NTD5865NLT4G
Hoja de datos de HTML NTD5865NL
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 46 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base NTD58
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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