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NTD5865NLT4G Canal N Montaje en superficie 60V 46 A (Tc) 71 W (Tc) DPAK
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD5865NLT4GOSCT-ND
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Cantidad disponible 57,695
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD5865NLT4G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 46 A (Tc) 71 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD5865NL
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 71 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTD5865NLT4GOSCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.84000 $0.84
10 0.73900 $7.39
100 0.57020 $57.02
500 0.42240 $211.20
1,000 0.33792 $337.92

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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04:23:17 9/22/2018