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NTD4969NT4G Canal N Montaje en superficie 30V 9.4 A (Ta), 41 A (Tc) 1.38 W (Ta), 26.3 W (Tc) DPAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD4969NT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD4969NT4G

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Descripción MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 9.4 A (Ta), 41 A (Tc) 1.38 W (Ta), 26.3 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD4969N
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.4 A (Ta), 41 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 837pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.38 W (Ta), 26.3 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres NTD4969NT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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07:20:09 12/10/2018