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NTD4863NT4G Canal N Montaje en superficie 25V 9.2 A (Ta), 49 A (Tc) 1.27 W (Ta), 36.6 W (Tc) DPAK
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100 0.42220 $42.22
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD4863NT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD4863NT4G

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Descripción MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 9.2 A (Ta), 49 A (Tc) 1.27 W (Ta), 36.6 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD4863N
Obsolescencia PCN/ EOL EOL 05/Feb/2016
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Ta), 49 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.3 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 990pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.27 W (Ta), 36.6 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTD4863NT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : NTD4863NT4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 1,763 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:40:57 10/17/2018