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NTD4858NT4G Canal N Montaje en superficie 25V 11.2 A (Ta), 73 A (Tc) 1.3 W (Ta), 54.5 W (Tc) DPAK
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Cantidad
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10 0.67300 $6.73
100 0.51880 $51.88
500 0.38432 $192.16
1,000 0.30745 $307.45

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD4858NT4GOSCT-ND
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Cantidad disponible 7,354
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD4858NT4G

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Descripción MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 11.2 A (Ta), 73 A (Tc) 1.3 W (Ta), 54.5 W (Tc) DPAK

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.2 A (Ta), 73 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.2 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1563pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta), 54.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTD4858NT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTD4858NT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.27051
  • Digi-Reel® ? : NTD4858NT4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,354 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

21:08:47 10/15/2018