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NTD3055L104T4G Canal N Montaje en superficie 60V 12 A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) DPAK
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10 0.53700 $5.37
25 0.50440 $12.61
100 0.36610 $36.61
500 0.30588 $152.94
1,000 0.26032 $260.32

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTD3055L104T4GOSTR-ND
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  • Cantidad disponible: 27,500 - Inmediata
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  • Digi-Reel®  : NTD3055L104T4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,731 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTD3055L104T4G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTD3055L104T4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTD3055L104T4G
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Descripción MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 12 A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTD3055L104
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 29/Aug/2017
Información de RoHS Material Declaration NTD3055L104T4G
Hoja de datos de HTML NTD3055L104
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 104mOhm a 6A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 5V
Vgs (máx.) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base NTD30
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-ND
NTD3055L104T4GOSCT