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NTD3055-150T4G Canal N Montaje en superficie 60V 9 A (Ta) 1.5 W (Ta), 28.8 W (Tj) DPAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD3055-150T4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD3055-150T4G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 9 A (Ta) 1.5 W (Ta), 28.8 W (Tj) DPAK

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta), 28.8 W (Tj)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTD3055-150T4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTD3055-150T4GOSTR-ND
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09:57:10 10/15/2018