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NTD2955T4G Canal P Montaje en superficie 60V 12 A (Ta) 55W (Tj) DPAK
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10 0.91200 $9.12
100 0.70360 $70.36
500 0.52118 $260.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD2955T4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTD2955T4G

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Descripción MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 12 A (Ta) 55W (Tj) DPAK

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 750pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 55W (Tj)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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NTD2955T4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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09:24:43 4/20/2019