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NTB5605PT4G Canal P Montaje en superficie 60V 18.5 A (Ta) 88 W (Tc) D2PAK
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTB5605PT4GOSCT-ND
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Cantidad disponible 13,475
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTB5605PT4G

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Descripción MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 18.5 A (Ta) 88 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NTB5605(P)
Ensamble/origen de PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140 mOhm a 8.5 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1190pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 88 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTB5605PT4GOSCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.51000 $1.51
10 1.33800 $13.38
100 1.05750 $105.75

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTB5605PT4GOSTR-ND
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  • Cantidad disponible: 13,475 - Inmediata
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19:42:11 9/22/2018