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NSVMUN5336DW1T1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NSVMUN5336DW1T1G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NSVMUN5336DW1T1G

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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50 V
Resistencia - Base (R1) 100 kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2) 100 kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 5 mA, 10 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250 mV a 300µA, 10 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 187mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000

22:41:59 2/22/2019