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NSBA114EDXV6T1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
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4,000 0.07896 $315.84
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NSBA114EDXV6T1GOSTR-ND
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Cantidad disponible 0

Stock en fábrica ?: 20,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NSBA114EDXV6T1G

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Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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Plazo estándar del fabricante 2 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
1727-6498-2-ND PEMB11,115 Nexperia USA Inc. Cinta y rollo (TR) ? 8,000 - Inmediata
$0.07109 4,000
Documentos y medios
Hojas de datos MUN5111DW1, NSBA114EDxx
Diseño/especificación de PCN Wire Bond 01/Dec/2010
Ensamble/origen de PCN Wafer Source Addition 26/Nov/2014
Embalaje de PCN Carrier Tape 15/Aug/2017
Mult Devices 27/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor 2 PNP - Prepolarizados (dobles)
Corriente de colector (Ic) máx. 100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50 V
Resistencia - Base (R1) 10 kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2) 10 kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 35 a 5 mA, 10 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250 mV a 300 µA, 10 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 500 mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Número de pieza base NSBA1*
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 4,000
Otros nombres NSBA114EDXV6T1G-ND
NSBA114EDXV6T1GOSTR

01:53:19 11/13/2018