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NDT451AN Canal N Montaje en superficie 30V 7.2 A (Ta) 3W (Ta) SOT-223-4
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.98000 $0.98
10 0.87500 $8.75
25 0.83080 $20.77
100 0.62310 $62.31
500 0.52812 $264.06
1,000 0.43022 $430.22

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NDT451ANTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.42428
  • Digi-Reel®  : NDT451ANDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NDT451AN

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NDT451ANCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NDT451AN
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Descripción MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 7.2 A (Ta) 3W (Ta) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos NDT451AN
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Información de RoHS Material Declaration NDT451AN
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 35mOhm a 7.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 720pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base NDT451
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NDT451ANCT