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NDP6060L Canal N Orificio pasante 60V 48 A (Tc) 100 W (Tc) TO-220
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NDP6060L-ND
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Cantidad disponible 3,123
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NDP6060L

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Descripción MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 48 A (Tc) 100 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos NDP6060L, NDB6060L
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 48 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 24 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -65 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 800
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.83000 $2.83
10 2.55500 $25.55
100 2.05320 $205.32
800 1.44179 $1,153.43
1,600 1.32316 $2,117.06
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07:31:17 9/24/2018