• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NDD02N60Z-1GOS-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

NDD02N60Z-1G

Descripción MOSFET N-CH 600V IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 2.2 A (Tc) 57 W (Tc) I-Pak

Documentos y medios
Hojas de datos NDx02N60Z
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices 01/Sep/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 274pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres NDD02N60Z-1G-ND
NDD02N60Z-1GOS
NDD02N60Z1G

15:32:06 2/22/2018

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