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MUN5216DW1T1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Prepolarizados (dobles) 50V 100 mA 250mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363
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10 0.19900 $1.99
100 0.10580 $10.58
500 0.07012 $35.06
1,000 0.04819 $48.19
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MUN5216DW1T1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 29,227
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MUN5216DW1T1G

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Descripción TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Prepolarizados (dobles) 50V 100 mA 250mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos MUN5216DW1, NSBC143TDXV6
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 08/Jun/2009
Ensamble/origen de PCN Wafer Source Addition 26/Nov/2014
Mult Trans Wire Qual 19/Dec/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor 2 NPN - Prepolarizados (dobles)
Corriente de colector (Ic) máx. 100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2) -
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 160 a 5mA, 10V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250mV a 1mA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 250mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Número de pieza base MUN52**DW1T
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres MUN5216DW1T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:26:17 3/20/2019