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10 3.09400 $30.94
25 2.92520 $73.13
100 2.34000 $234.00
250 2.21000 $552.50

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : MTB50P03HDLT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.08000
  • Digi-Reel®  : MTB50P03HDLT4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,010 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

MTB50P03HDLT4G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MTB50P03HDLT4G
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Descripción MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos MTB50P03HDL
Información de RoHS Material Declaration MTB50P03HDLT4G
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Material Chg 2/Oct/2018
Mult Dev Marking Chg 30/Jul/2019
Hoja de datos de HTML MTB50P03HDL
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 5V
Vgs (máx.) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres MTB50P03HDLT4GOSCT