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MMUN2235LT1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Prepolarizado 50V 100mA 246mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.11600 $1.16
100 0.06360 $6.36
500 0.03954 $19.77
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MMUN2235LT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MMUN2235LT1G

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Descripción TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Prepolarizado 50V 100mA 246mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3
Diseño/especificación de PCN Copper Wire Update 10/Sep/2015
SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Site Add 2/Nov/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 100mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50V
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistencia - Emisor a base (R2) 47 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 5mA, 10V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250mV a 1mA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Potencia máxima 246mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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