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MMUN2232LT1G Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados NPN - Prepolarizado 50V 100mA 246mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)
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3,000 0.02122 $63.67
6,000 0.01904 $114.21
9,000 0.01620 $145.80
30,000 0.01499 $449.55
75,000 0.01296 $972.00
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MMUN2232LT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key MMUN2232LT1GOSTR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MMUN2232LT1G
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Descripción TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados NPN - Prepolarizado 50V 100mA 246mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos MUN(2,5)232, MMUN2232L, DTC143Exx, NSBC143EF3
Información de RoHS Material Declaration MMUN2232LT1G
Diseño/especificación de PCN Gold to Copper Wire 14/Oct/2008
SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Mold Compound 02/Apr/2020
Hoja de datos de HTML MUN(2,5)232, MMUN2232L, DTC143Exx, NSBC143EF3
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta y rollo (TR) 
Estado de pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2) 4.7 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 15 a 5mA, 10V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250mV a 1mA, 10mA
Corriente - Corte de colector (Máx.) 500nA
Potencia - Máx. 246mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Número de pieza base MMUN22
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 3,000
Otros nombres MMUN2232LT1GOS
MMUN2232LT1GOS-ND
MMUN2232LT1GOSTR