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MMBT5551LT1G Transistor bipolar (BJT) NPN 160V 600mA 225mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MMBT5551LT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MMBT5551LT1G

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Descripción TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 36 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) NPN 160V 600mA 225mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN
Corriente de colector (Ic) máx. 600mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 160V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 200 mV a 5 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 100 nA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 10 mA, 5 V
Potencia máxima 225mW
Frecuencia - Transición -
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Número de pieza base MMBT5551
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres MMBT5551LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:51:39 10/19/2018