MMBT2222LT1G ON Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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MMBT2222LT1G Transistor bipolar (BJT) NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	MMBT2222LT1GOSCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	209,897 Disponible para envío inmediato
Fabricante	ON Semiconductor	Copiar
Número de pieza del fabricante	MMBT2222LT1G	Copiar
Descripción	TRANS NPN 30V 0.6A SOT23	Copiar
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Descripción detallada	Transistor bipolar (BJT) NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	MMBT/SMMBT2222(A)L Datasheet
Recursos de diseño	Transistor Technical Basics
Diseño/especificación de PCN	Gold to Copper Wire 08/May/2007 Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN	Mult Dev Wafer Add 16/Nov/2018
Hoja de datos de HTML	MMBT/SMMBT2222(A)L Datasheet

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
Fabricante	ON Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo de transistor	NPN
Corriente de colector (Ic) máx.	600mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)	30V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	1.6 V a 50 mA, 500 mA
Corriente de corte del colector (máx.)	10 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	100 a 150 mA, 10 V
Potencia máxima	300mW
Frecuencia - Transición	250MHz
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de pieza base	MMBT2222