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MMBFJ310LT1G Mosfet RF Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 10V 10mA 12 dB SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.41700 $4.17
100 0.28440 $28.44
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MMBFJ310LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 17,000
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MMBFJ310LT1G

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Descripción RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Mosfet RF Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 10V 10mA 12 dB SOT-23-3 (TO-236)

Copiar   Mosfet RF Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 10V 10mA  12 dB  SOT-23-3 (TO-236)
Documentos y medios
Hojas de datos MMBFJ,SMMBFJ3(09,10)L
Diseño/especificación de PCN Glue Mount Process 11/July/2008
SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
Frecuencia -
Ganancia 12 dB
Voltaje - Prueba 10V
Corriente nominal 60 mA
Cifra de ruido -
Corriente de prueba 10mA
Alimentación - Salida -
Voltaje nominal 25V
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Número de pieza base MMBFJ310
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres MMBFJ310LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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