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MMBFJ309LT1G Mosfet RF Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N SOT-23-3 (TO-236)
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1 0.47000 $0.47
10 0.38000 $3.80
100 0.25870 $25.87
500 0.19442 $97.21
1,000 0.14622 $146.22
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MMBFJ309LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 25,081
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MMBFJ309LT1G

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Descripción JFET N-CH 25V 30MA SOT23
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Mosfet RF Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos MMBFJ,SMMBFJ3(09,10)L
Diseño/especificación de PCN SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
Frecuencia -
Ganancia -
Corriente nominal 30 mA
Cifra de ruido -
Alimentación - Salida -
Voltaje nominal 25V
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Número de pieza base MMBFJ309
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres MMBFJ309LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : MMBFJ309LT1GOSTR-ND
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12:58:39 2/18/2019