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MJE5730G Transistor bipolar (BJT) PNP 300V 1A 10 MHz 40W Orificio pasante TO-220AB
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MJE5730GOS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MJE5730G

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Descripción TRANS PNP 300V 1A TO220AB
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Plazo estándar del fabricante 2 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) PNP 300V 1A 10 MHz 40W Orificio pasante TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos MJE5730, 31(A)
Diseño/especificación de PCN TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
Ensamble/origen de PCN Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Test 16/Oct/2015
Mult Devices 28/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor PNP
Corriente de colector (Ic) máx. 1A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 300V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 1 V a 200 mA, 1 A
Corriente de corte del colector (máx.) 1 mA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 30 a 300 mA, 10 V
Potencia máxima 40W
Frecuencia - Transición 10 MHz
Temperatura de operación -65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres MJE5730GOS

00:23:40 12/16/2018