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MJD44H11T4G Transistor bipolar (BJT) NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK
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MJD44H11T4G

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MJD44H11T4G
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Descripción TRANS NPN 80V 8A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos MJD44H11, MJD45H11
Información de RoHS Material Declaration MJD44H11T4G
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN
Corriente de colector (Ic) máx. 8A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 80V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 1V a 400mA, 8A
Corriente de corte del colector (máx.) 1µA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 40 a 4A, 1V
Potencia máxima 1.75W
Frecuencia - Transición 85MHz
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Número de pieza base MJD44H11
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres MJD44H11T4GOSCT