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MJD42CT4G Transistor bipolar (BJT) PNP 100V 6A 3 MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK
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10 0.59300 $5.93
100 0.45870 $45.87
500 0.36648 $183.24
1,000 0.29683 $296.83
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MJD42CT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MJD42CT4G

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Descripción TRANS PNP 100V 6A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) PNP 100V 6A 3 MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos MJD41C, MJD42C
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor PNP
Corriente de colector (Ic) máx. 6A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 100V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 1.5 V a 600 mA, 6 A
Corriente de corte del colector (máx.) 50 µA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 15 a 3 A, 4 V
Potencia máxima 1.75W
Frecuencia - Transición 3 MHz
Temperatura de operación -65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Número de pieza base MJD42
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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14:30:54 1/17/2019