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MJD31CT4G Transistor bipolar (BJT) NPN 100V 3A 3 MHz 1.56W Montaje en superficie DPAK
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10 0.48200 $4.82
100 0.35970 $35.97
500 0.28266 $141.33
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MJD31CT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MJD31CT4G

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Descripción TRANS NPN 100V 3A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) NPN 100V 3A 3 MHz 1.56W Montaje en superficie DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Mult Devices 29/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN
Corriente de colector (Ic) máx. 3A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 100V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 1.2 V a 375 mA, 3 A
Corriente de corte del colector (máx.) 50 µA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 10 a 3 A, 4 V
Potencia máxima 1.56W
Frecuencia - Transición 3 MHz
Temperatura de operación -65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Número de pieza base MJD31
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres MJD31CT4GOSCT
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03:26:12 10/23/2018