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MJD122T4G Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK
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10 0.54800 $5.48
25 0.51440 $12.86
100 0.37330 $37.33
250 0.36008 $90.02
500 0.31194 $155.97
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : MJD122T4GOSTR-ND
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  • Cantidad disponible: 17,500 - Inmediata
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  • Digi-Reel®  : MJD122T4GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18,558 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Tubo  : MJD122GOS-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,449 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.60000

MJD122T4G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key MJD122T4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MJD122T4G
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Descripción TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Montaje en superficie DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos MJD122/127, NJVMJD122/127
Información de RoHS Material Declaration MJD122T4G
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Darlington
Corriente de colector (Ic) máx. 8A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 100V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 4V a 80mA, 8A
Corriente de corte del colector (máx.) 10µA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 1000 a 4A, 4V
Potencia máxima 1.75W
Frecuencia - Transición 4MHz
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Número de pieza base MJD122
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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